Toshiba разработала флэш-микросхемы емкостью 100 Гбит - 23 Января 2008 - Развлекательно-информационный портал
Развлекательно-информационный портал


Меню сайта

Категории раздела

Поиск

Календарь
«  Январь 2008  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031

Мини-чат

Наш опрос
Как часто вы заходите на сайт ?
Всего ответов: 356

Статистика

Сейчас на сайте: 4
Гостей: 4
Пользователей: 0

Сегодня на сайте были:

Приветствую Вас, Незнакомец(ка) · RSS 08.05.2024, 19:19

Главная » 2008 » Январь » 23 » Toshiba разработала флэш-микросхемы емкостью 100 Гбит
16:43
Toshiba разработала флэш-микросхемы емкостью 100 Гбит

Компания Toshiba сообщила о разработке микросхем флэш-памяти, емкость которых в разы превышает емкость современных устройств. Инженеры надеятся, что их разработка будет широкого использоваться в накопителях, устройствах хранения информации следующего поколения. Однако пока о сроках говорить слишком рано - для начала производства новых микросхем, емкость которых будет составлять сотни гигабит (12,5 гигабайт), требуется еще разработка технологического процесса с проектными нормами в 10 нм. Тем не менее, Toshiba представила базовую технологию флэш-памяти на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting).

Структура микросхем флэш-памяти получила обозначение SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), которая впервые была представлена публике еще летом этого года на симпозиуме VLSI, а главным нововведением являются два туннельных слоя оксида (tunnel layer) толщиной всего 1 нм. Между этими двумя слоями находится тонкий 1-нм слой кристаллического кремния, за счет которого и осуществляется чтения/запись данных, а также долговременное хранение информации, и при этом обеспечивается высокая скорость процессов записи/чтения.

Обратим внимание и на слой нитрида кремния Si9N10, который заменил в "предварительной версии" SONOS слой Si3N4. Это нововведение позволяет увеличить концентрацию носителей заряда (электронов), а значит и улучшает параметры работы флэш-памяти в целом.

Таким образом, главным акцент разработчики сделали на усовершенствовании структуры микросхем флэш-памяти SONOS, однако такая модернизация, хоть и позволяет добиться значительного повышения емкости устройств, скорости обработки данных, но и требует разработки более "тонкой" технологии изготовления интегральных микросхем.

Категория: ЦИФРОВАЯ ТЕХНИКА | Просмотров: 442 | Добавил: nikolapiter | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Макаров Николай (niKolapiTer) © 2024