Меню сайта |
|
|
|
Категории раздела |
|
|
|
Поиск |
|
|
|
Календарь |
|
|
|
Мини-чат |
|
|
|
Наш опрос |
|
|
|
Статистика |
|
Сейчас на сайте: 4 Гостей: 4 Пользователей: 0
Сегодня на сайте были:
|
|
|
Приветствую Вас, Незнакомец(ка) · RSS |
07.02.2025, 03:34 |
Главная » 2008 » Январь » 23 » Toshiba разработала флэш-микросхемы емкостью 100 Гбит
16:43 Toshiba разработала флэш-микросхемы емкостью 100 Гбит |
Компания Toshiba сообщила о разработке микросхем флэш-памяти, емкость которых в разы превышает емкость современных устройств. Инженеры надеятся, что их разработка будет широкого использоваться в накопителях, устройствах хранения информации следующего поколения. Однако пока о сроках говорить слишком рано - для начала производства новых микросхем, емкость которых будет составлять сотни гигабит (12,5 гигабайт), требуется еще разработка технологического процесса с проектными нормами в 10 нм. Тем не менее, Toshiba представила базовую технологию флэш-памяти на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting).
Структура микросхем флэш-памяти получила обозначение SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), которая впервые была представлена публике еще летом этого года на симпозиуме VLSI, а главным нововведением являются два туннельных слоя оксида (tunnel layer) толщиной всего 1 нм. Между этими двумя слоями находится тонкий 1-нм слой кристаллического кремния, за счет которого и осуществляется чтения/запись данных, а также долговременное хранение информации, и при этом обеспечивается высокая скорость процессов записи/чтения.
Обратим внимание и на слой нитрида кремния Si9N10, который заменил в "предварительной версии" SONOS слой Si3N4. Это нововведение позволяет увеличить концентрацию носителей заряда (электронов), а значит и улучшает параметры работы флэш-памяти в целом.
Таким образом, главным акцент разработчики сделали на усовершенствовании структуры микросхем флэш-памяти SONOS, однако такая модернизация, хоть и позволяет добиться значительного повышения емкости устройств, скорости обработки данных, но и требует разработки более "тонкой" технологии изготовления интегральных микросхем.
|
Категория: ЦИФРОВАЯ ТЕХНИКА |
Просмотров: 470 |
Добавил: nikolapiter
| Рейтинг: 0.0/0 |
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ]
|